专利号:CN202010052653.X
摘要:本发明提供了一种织构化类金刚石碳基薄膜及其制备方法,属于表面工程领域。本发明提供一种利用金属网筛栅遮挡金属基体表面的方法,简单便捷地原位制备织构化DLC薄膜,金属基底表面的金属网筛并非与基底紧密贴合,而是与基底留有一定间隙,且间隙尺寸严格控制,利用此间隙实现沉积空间等离子体密度的重新分布,使金属网栅遮挡区域与基体间隙处的等离子体密度增加,从而提高此区域的沉积速率,而未遮挡区域沉积速率不变,导致遮挡区域薄膜厚度大于未遮挡区域,从而在薄膜沉积过程中原位形成织构化表层,薄膜本身连续完整,不存在未覆盖区域,且织构坑形状、密度和深度均可通过沉积工艺的调控实现可控调节。
