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高熵合金孕育亚共晶铝硅合金制备工艺
2025-01-17 点击: 作者: 来源:

专利号:CN201811167681.5

摘要:本发明公开了高熵合金孕育亚共晶铝硅合金制备工艺,首先制备AlCoCrFeNiTix(x=0.5~1.5)高熵合金;使用纯铝以及Al‑20Si合金混合熔化得到合金熔体,通过精炼浇注得到亚共晶Al‑(6~9)Si合金;将高熵合金作为孕育剂以不同的质量分数加入到亚共晶Al‑(6~9)Si合金中对其进行孕育处理,得到细小均匀的共晶硅α‑Al等轴晶组织,从而提高亚共晶铝硅合金的力学性能。本发明的有益效果是该孕育剂能够细化α‑Al晶粒,并得到细小且均匀分布的共晶硅组织,减少对基体的割裂作用和应力集中的趋势。